Comparaison de la RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Note globale

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 34

Autour de 18% latence réduite

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

19.1 12.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.6 7.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 8500

Autour de 2.26 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1988 3178

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns