RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3178
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link