Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 34
    Wokół strony 18% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19.1 left arrow 12.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.6 left arrow 7.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 8500
    Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 34
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.7 left arrow 19.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.5 left arrow 12.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1988 left arrow 3178
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania