RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3122
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link