RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3122
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link