RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3020
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link