RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2903
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link