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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2574
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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