RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
62
Autour de -170% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
23
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link