RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link