RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3241
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link