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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
20.2
写入速度,GB/s
7.5
13.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3241
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
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