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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
15.0
14.3
写入速度,GB/s
10.3
10.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2913
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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