RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
25.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
25.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
19.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
4167
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link