RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
4167
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link