RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3803
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link