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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Note globale
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Note globale
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 14.4
    Valeur moyenne dans les tests
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Raisons de considérer
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 53
    Autour de -104% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.2 left arrow 1,590.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 6400
    Autour de 2.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    53 left arrow 26
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,726.4 left arrow 14.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,590.1 left arrow 11.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    522 left arrow 2846

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Comparaison des RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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