RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
53
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2846
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link