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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs INTENSO 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
INTENSO 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
INTENSO 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2061
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
INTENSO 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
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Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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