RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2664
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link