RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3090
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link