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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 8 13 18 23 29 34 35 36 37 38
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2996
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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