RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
2213
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link