RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
37
Velocità di lettura, GB/s
13.2
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
2213
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link