RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Comparar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2213
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link