RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2855
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CM3X1G1600C9DHX 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link