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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KWTHG4-MIE 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.7
14.7
写入速度,GB/s
7.5
11.1
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2855
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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