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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
48
左右 -118% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
22
读取速度,GB/s
8.9
15.7
写入速度,GB/s
5.9
7.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2388
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
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