RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
28
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3427
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Corsair CMP4GX3M2C1600C7 2GB
Kingston KHX16 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link