RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3427
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link