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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2732
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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