RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2732
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link