RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2732
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link