RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
54
Autour de 48% latence réduite
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
54
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2938
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link