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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
54
读取速度,GB/s
12.7
15.2
写入速度,GB/s
7.5
14.3
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2938
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
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