RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2913
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link