RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2913
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link