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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
68
Autour de 59% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
68
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1812
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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