RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
68
Около 59% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
68
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1812
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link