RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2783
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link