RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2783
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link