RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
21.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3486
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
UMAX Technology 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link