RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
31
Velocità di lettura, GB/s
12.7
21.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3486
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link