RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3155
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link