RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3155
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Jinyu 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link