RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
35
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
21
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3460
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link