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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
35
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
21
读取速度,GB/s
14.4
17.2
写入速度,GB/s
9.5
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3460
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-011.A00LF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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