RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2813
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link