RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
37
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2813
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link