RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
35
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
21
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3089
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link