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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Note globale
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Note globale
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 17.7
    Valeur moyenne dans les tests
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Signaler un bogue
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.3 left arrow 1,950.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 6400
    Autour de 3 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    58 left arrow 58
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,241.0 left arrow 17.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,950.7 left arrow 9.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    651 left arrow 1968

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