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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 17.7
    Valore medio nei test
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Motivi da considerare
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 1,950.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 6400
    Intorno 3 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    58 left arrow 58
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,241.0 left arrow 17.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,950.7 left arrow 9.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    651 left arrow 1968

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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